Siêu chip đối đầu iPhone 15 của Samsung bắt đầu được sản xuất

Theo Yonhap News, Samsung ​​sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt chip 3nm vào tuần tới. Điều này có nghĩa là công ty sẽ vượt lên trước TSMC, dự kiến sản xuất chip 3nm vào nửa cuối năm nay, sẵn sàng cho dòng Galaxy S23 vào đầu năm tới.

Chip 3nm của Samsung sử dụng thiết kế GAAFET.

Chip 3nm của Samsung sẽ giảm 35% diện tích, hiệu suất cao hơn 30% hoặc tiêu thụ điện năng thấp hơn 50% so với chip 5nm (vốn được sử dụng cho Snapdragon 888 và Exynos 2100 trên dòng Galaxy S21).

Công ty đạt được điều này bằng cách chuyển sang thiết kế Gate-All-Around (GAA) cho các bóng bán dẫn. Đây là bước tiếp theo sau FinFET, cho phép xưởng đúc thu nhỏ các bóng bán dẫn mà không làm ảnh hưởng đến khả năng mang dòng điện của chúng. Sau thiết kế GAAFET sử dụng trong chip 3nm sẽ là thiết kế MBCFET.

Chip 3nm sẽ được tích hợp vào dòng Galaxy S23 năm 2023, đối đầu với iPhone 15 của Apple.

Tổng thống Mỹ - Joe Biden đã đến thăm nhà máy của Samsung tại Pyeongtaek vào tháng trước để tham dự buổi giới thiệu công nghệ 3nm của công ty. Năm ngoái, có tin đồn cho rằng công ty có thể đầu tư 10 tỷ USD để xây dựng một xưởng đúc chip 3nm ở Texas (Mỹ). Khoản đầu tư đó đã tăng lên 17 tỷ USD, nhà máy ​​sẽ bắt đầu hoạt động vào năm 2024.

Samsung hứa hẹn xây nhà máy tại Mỹ.

Vào tháng 10 năm ngoái, Samsung đã tuyên bố sản lượng của chip 3nm đang “chạm đến mức của chip 4nm”. Mặc dù công ty chưa bao giờ công bố con số chính thức, nhưng các nhà phân tích tin rằng chip 4nm của Samsung đã gặp phải vấn đề về năng suất.

Dự kiến, “ông trùm” Hàn Quốc ​​sẽ có chip 3nm thế hệ thứ hai vào năm 2023. Và theo lộ trình của công ty, chip 2nm dựa trên thiết kế MBCFET sẽ xuất hiện vào năm 2025.